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原⼦レベルアンチエイリアス熱処理ミニマル装置(ミニマルレーザ水素アニール装置)

<シリコン微細構造の原子レベルでの平滑化と丸め制御により、様々な分野・用途におけるMEMSデバイスの高性能・高信頼性を実現!>
東北大学 金森義明教授発明のAtomic-Antialiasing Annealing(AAA)技術を用いた水素雰囲気アニールによる立体構造の平滑化と丸め制御新技術を、H30~R2年度サポイン事業により東北大・産総研・ミニマルファブ推進機構との共同開発で製品化しました。

特長

  • φ12.5mmウェハ(枚葉処理)
  • コンパクトな筐体(幅約30cm)
  • クリーンルーム不要
  • 低消費電力(定格AC100V 10A)
  • 超高真空対応(5 × 10 -5 Pa 以下)
  • 急速昇降温(1100℃まで2.5秒)
  • 安定した温度制御(1100℃±0.5℃)
  • 均一温度分布(ばらつき(σ/Ave.)0.5%)

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